微流控芯片的光刻工藝和產品特點說明

更新時間：2022-10-21

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　　微流控芯片的光刻工藝：

　　光刻是用光刻膠、掩模和紫外光進行微制造，工藝如下：

　　（a）仔細地將基片洗凈；

　　（b）在干凈的基片表面鍍上一層阻擋層，例如鉻、二氧化硅、氮化硅等；

　　（c）再用甩膠機在阻擋層上均勻地甩上一層幾百A厚的光敏材料——光刻膠。光刻膠的實際厚度與它的粘度有關，并與甩膠機的旋轉速度的平方根成反比；

　　（d）在光掩模上制備所需的通道圖案。將光掩模復蓋在基片上，用紫外光照射涂有光刻膠的基片，光刻膠發生光化學反應；

　　（e）用光刻膠配套顯影液通過顯影的化學方法除去經曝光的光刻膠。這樣，可用制版的方法將底片上的二維幾何圖形精確地復制到光刻膠層上；

　　（f）烘干后，利用未曝光的光刻膠的保護作用，采用化學腐蝕的方法在阻擋層上精確腐蝕出底片上平面二維圖形。

　　微流控芯片的產品特點：

　　提供真空環境，提高成功率

　　采用真空熱壓系統，可根據不同材料、不同芯片通道寬度、深度設定壓力、溫度、時間，以達到熱壓及鍵合要求。

　　控溫準確，面內熱分布均勻

　　設備使用恒溫控制加熱技術，實現溫度精確控制；鋁合金工作平臺，上下面平整，熱導速度快、熱導均一。

　　適用于多種尺寸芯片加工，實驗成本低

　　設備加熱鍵合面積大，涵蓋常用尺寸的微流控芯片。

　　參數精準可調

　　該設備可針對不同材料設置鍵合溫度、壓力與真空度，精準低偏差。

　　操作靈活簡單，上手快

　　工作平臺操作方式為上下芯片手工對準貼合，自動加壓鍵合。

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